美国当地时间8月4日至6日，FMS（Future of Memory and Storage，全球闪存峰会）在圣克拉拉盛大举行。作为存储行业最具权威性的年度技术盛会，FMS汇聚全球存储厂商、芯片巨头与云服务商，集中展示闪存、SSD、内存接口等领域的前沿技术与产品，是观察存储行业技术风向与AI基础设施演进趋势的重要窗口。

得一微电子（YEESTOR）作为AI存力芯片设计企业，始终以创新为驱动，积极推动存储技术向前发展。本届FMS 2026，得一微电子带来AI-MemoryX®系列存力解决方案，围绕“AI存力芯片”核心战略，向全球产业界展示从芯片底层重构AI计算范式的前沿突破。

AI-MemoryX®：从芯片底层架构创新，重构计算范式

AI正以前所未有的速度重塑存储产业格局。头部厂商技术路线清晰指向更高闪存堆叠层数、更高带宽与更低访问延迟；与此同时，CXL内存池化、HBM/HBF高带宽存储、智能SSD等技术加速落地，存储与计算的边界日益模糊。在AI推理与训练工作负载驱动下，存储正从“数据仓库”向“计算伙伴”演进。

得一微电子AI-MemoryX®存力芯片战略，正是顺应这一产业趋势推出的技术路线。AI-MemoryX®旨在通过芯片承载智能化存力能力，并主动为AI系统的GPU/NPU提供高效计算卸载和数据预处理能力。整体技术布局围绕三大支柱展开：存储控制层面，通过智能主控优化NAND访问效率与数据路径；存算互联层面，以高速接口与协议创新打通存储与计算之间的带宽瓶颈；存算一体层面，在存储介质侧嵌入轻量级处理能力，实现数据在近存储位置完成预处理。三大技术协同创新，构建存算协同的智能处理范式，为从端侧设备到智算中心提供全场景的存力解决方案。

全场景AI存力版图：从PCIe Gen5到多终端领域持续落地

本届FMS现场，得一微电子系统呈现了全场景AI存力产品矩阵。核心展品包括面向AI PC市场的PCIe Gen5 SSD存力主控YS9503。该芯片基于AI-MemoryX智能存力架构，以无独立DRAM缓存的精简设计实现旗舰级性能——顺序读取达14.8GB/s、顺序写入14.3GB/s、随机读写均达300万IOPS，并搭载分离命令地址（SCA）技术进一步提升高并发场景下的NAND接口效率。无DRAM设计显著降低了物料成本与主板布局复杂度，功耗与热设计方面也具备出色余量，为AI PC端侧应用提供兼具高性能与成本效益的实现路径。

终端市场层面，得一微电子存力方案已实现广泛落地：AI手机领域，从eMMC到UFS系列主控芯片，为端侧AI影像处理、智能交互提供高速数据支持；智能汽车领域，车规级eMMC、BGA SSD及UFS存力方案已与数十家主流车企及Tier 1供应商深入合作，支撑智能座舱、辅助驾驶及车载AI系统的实时决策与数据闭环；智慧工业与AIoT领域，宽温级存力产品规模应用于电力、通信、能源等核心场景。此外，公司持续推进CXL、存算一体等前沿技术研发，为下一代AI基础设施建设储备核心技术能力。

AI存力新愿景：让每比特数据创造更多智能

FMS作为全球存储产业的核心交流平台，也是连接海外市场、开展产业协作的重要窗口。从台北COMPUTEX到硅谷FMS，得一微电子持续亮相全球顶级科技展会，向全球展示中国AI存力芯片的创新成果。

存储与计算的深度融合，正在重新定义AI时代的效能边界。AI系统优化重心正从单一GPU算力转向内存共享、存储架构与高速互连的全栈协同。得一微电子将以AI-MemoryX®为支点，推动存算协同的规模化落地，为全球AI产业释放更澎湃的存力价值。