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得一微存储控制技术创新突破,斩获“中国芯”大奖

2019/10/28 297
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日前,深圳市得一微电子有限责任公司受邀参加2019“中国芯”集成电路产业促进大会,并在大会同期举办的“中国芯”优秀产品评选中,标杆式产品PCIe Gen3 x 4 NVMe 1.3 SSD 控制芯片 YS9203获得“优秀技术创新产品”称号!


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YS9203获中国芯“优秀技术创新产品”奖

 

此次评选,由来自125家芯片企业,累计187款芯片产品进行角逐,得一微电子存储控制技术创新突破,脱颖而出,获得殊荣。


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YS9203这颗SSD固态硬盘控制芯片针对旗舰消费级以及轻企业级应用而打造,得益于硬件和固件上的优化,该主控将充分发挥NVMe1.3的性能。它提供PCIe 4个Lane和8个NAND Flash通道,支持3D MLC/TLC/QLC的NAND,使用LDPC以及Enhance RAID增强了数据可靠性和耐久性。支持1.2V和1.8V接口电压,支持国密SM2/SM3/SM4,TCG OPAL。消费级工作温度范围:0°C-70°C,工业级工作温度范围:-40°C-85°C。顺序读写速度高达3500MB/s,3200MB/s,随机读写速度都高达800K IOPS,性能卓越。


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此次“中国芯”大奖颁发给得一微电子,充分肯定了公司在产品创新、技术创新和应用创新方面的成果,以及对行业发展的引领带动作用。

 

吴大畏分享:中国存储控制芯片如何从跟随到引领

 

在峰会现场,得一微电子总经理吴大畏发表主题为“中国存储控制芯片如何从跟随到引领”的演讲。


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从跟随到引领,这个主题很好的诠释了目前中国大力发展存储产业之下国内存储控制芯片厂商的现状与发展策略,探讨了前进的方向。

 

吴大畏指出,全球存储市场持续稳定增长,中国势力在崛起。2019年到2022年闪存预计主要消耗方向以SSD和移动应用为主,尤其是SSD的增速很快。SSD出货量又以消费级SSD为主,同时消费级SSD和企业级SSD均表现良好的增长。此外,嵌入式市场在未来三年将表现出UFS3.0的强劲增长。这些增长点,正是中国本土闪存产业崛起的大好机会。

 

最近,长江存储的64层 3D NAND已经量产,未来将推出128层 3D NAND,在应用端又有江波龙、七彩虹、台电科技、铭瑄、朗科、海康威视等众多SSD品牌的需求支撑,国内存储控制芯片厂商有策略、有实力地抓住闪存应用新的市场增长机会,共同推动中国存储产业崛起的实现。

 

吴大畏说,存储控制芯片存在三大定律,马太定律、没有免费午餐NFL定律、反摩尔定律。简单来说,这三个定律就意味着,存储控制芯片厂商强者恒强,一份耕耘才能一份收获,只有持续地演进产品,扩充品类,拓宽边界,才有生存空间。

 

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存储控制芯片发展就好像是一场耐力赛,比拼的是持久。闪存应用不断在拓展,闪存持续更新,领跑者有时候只是破风者,各领风骚,只有持续不断的投入,才能在竞争中存活下来,得势者为王。

 

从跟随者到引领者,本土存储控制芯片公司应该如何做呢?在中心化市场和去中心化市场,不同市场细分中的引领有不同的关键。吴大畏总结了全球开放的商业市场,全球开放的消费市场,中国引领世界的行业市场,以及自主可控市场的核心成功要素。其中重点指出,随着产业链上下游在国内的大发展,存储控制环节的水涨船高会首先发生在全球开放的消费市场,成功要素具备了全产品线,综合成本领先,技术突破,产业链整体发展,生态系统构建以及资本支持等几个方面,才能顺应趋势,引领市场。而全球开放的商业市场,需要创新的商业模式,平台化的发展,开放的生态,结合系统级的创新,中心化标准的制定,高集中度资本支持才能取得综合优势。

 

得一微电子如何创新突围

 

得一微电子作为国内具有领导地位的存储控制芯片设计企业,专注于消费级和企业级固态存储控制芯片设计和服务,建立了完整的存储控制芯片产品线。掌握业界多项关键技术,拥有国内外多项核心发明专利,具备成熟的存储控制芯片设计流程,在产品定义、技术整合、构架创新、固件支持等方面不断突破。资本上也获得了多家知名企业的投资,包含华登国际、江波龙电子、兆易创新、中芯聚源、清华控股、国投创合、TCL、泰科源、传音控股等行业巨头。

 

本土存储控制芯片企业作为中国存储产业崛起的一个重要环节,不能单打独斗,唯有共同拓展开放生态蓝图。因此,吴大畏表示,得一微电子全力构建开放的FTL构架,弹性的硬件构架,提供信息安全的接口和灵活的合作模式,将与产业界共建存储生态,共享存储发展。